Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các nanô tinh thể bán dẫn CdSe/ZnS với cấu trúc lõi/vỏ
Giới thiệu tổng quan lý thuyết về hệ bán dẫn thấp chiều. Trình bày thực nghiệm: phương pháp chế tạo nanô tinh thể CdSe và CdSe/ZnS qua 2 phương pháp : chế tạo lõi chấm lượng tử CdSe và tạo lớp vỏ ZnS để có các hạt CdSe/ZnS với cấu trúc lõi/vỏ. Trình bày các phương pháp thực nghiệm: phổ tán xạ Micro-...
Lưu vào:
Tác giả chính: | |
---|---|
Đồng tác giả: | |
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | English Vietnamese |
Xuất bản : |
H. :
ĐHCN,
2005
|
Chủ đề: | |
Thẻ: |
Thêm từ khóa
Không có thẻ nào, Hãy là người đầu tiên đánh dấu biểu ghi này!
|
LEADER | 01577nam a2200277 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | dlc000076686 | ||
005 | 20150529105107.0 | ||
008 | 101207 000 0 eng d | ||
035 | |a VNU060086864 | ||
041 | |a vie | ||
044 | |a VN | ||
082 | |a 620.5 | ||
090 | |a 620.5 |b NG-C 2005 | ||
100 | 1 | |a Nguyễn, Văn Chúc | |
245 | 1 | 0 | |a Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các nanô tinh thể bán dẫn CdSe/ZnS với cấu trúc lõi/vỏ |
260 | |a H. : |b ĐHCN, |c 2005 | ||
300 | |a 66 tr. + |e CD-ROM | ||
520 | |a Giới thiệu tổng quan lý thuyết về hệ bán dẫn thấp chiều. Trình bày thực nghiệm: phương pháp chế tạo nanô tinh thể CdSe và CdSe/ZnS qua 2 phương pháp : chế tạo lõi chấm lượng tử CdSe và tạo lớp vỏ ZnS để có các hạt CdSe/ZnS với cấu trúc lõi/vỏ. Trình bày các phương pháp thực nghiệm: phổ tán xạ Micro-Raman, phổ hấp thụ quang học, phổ huỳnh quang, phương pháp hiển vi điện tử truyền qua (TEM) và khảo sát bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM). Kết quả: chế tạo các chấm lượng tử CdSe, CdSe/ZnS, ảnh TEM, ảnh SEM, ... | ||
653 | |a Công nghệ Nano | ||
653 | |a Công nghệ vật liệu | ||
653 | |a Linh kiện nano | ||
653 | |a Nano tinh thể bán dẫn | ||
700 | 1 | |a Phạm, Thu Nga, |e Người hướng dẫn | |
942 | |c LV | ||
999 | |c 2007 |d 2007 | ||
952 | |0 0 |1 0 |2 DDC |4 0 |6 620_500000000000000 |7 0 |9 15911 |a DL |b DL |c DL_LV |d 2011-05-19 |g 60000.00 |o 620.5 |p LV001675 |r 2014-07-12 |w 2014-07-12 |y LV |