Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các nanô tinh thể bán dẫn CdSe/ZnS với cấu trúc lõi/vỏ
Giới thiệu tổng quan lý thuyết về hệ bán dẫn thấp chiều. Trình bày thực nghiệm: phương pháp chế tạo nanô tinh thể CdSe và CdSe/ZnS qua 2 phương pháp : chế tạo lõi chấm lượng tử CdSe và tạo lớp vỏ ZnS để có các hạt CdSe/ZnS với cấu trúc lõi/vỏ. Trình bày các phương pháp thực nghiệm: phổ tán xạ Micro-...
Lưu vào:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Đồng tác giả: | |
| Định dạng: | Sách |
| Ngôn ngữ: | English Vietnamese |
| Xuất bản : |
H. :
ĐHCN,
2005
|
| Chủ đề: | |
| Thẻ: |
Thêm từ khóa
Không có thẻ nào, Hãy là người đầu tiên đánh dấu biểu ghi này!
|
| Tóm tắt: | Giới thiệu tổng quan lý thuyết về hệ bán dẫn thấp chiều. Trình bày thực nghiệm: phương pháp chế tạo nanô tinh thể CdSe và CdSe/ZnS qua 2 phương pháp : chế tạo lõi chấm lượng tử CdSe và tạo lớp vỏ ZnS để có các hạt CdSe/ZnS với cấu trúc lõi/vỏ. Trình bày các phương pháp thực nghiệm: phổ tán xạ Micro-Raman, phổ hấp thụ quang học, phổ huỳnh quang, phương pháp hiển vi điện tử truyền qua (TEM) và khảo sát bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM). Kết quả: chế tạo các chấm lượng tử CdSe, CdSe/ZnS, ảnh TEM, ảnh SEM, ... |
|---|---|
| Mô tả vật lý: | 66 tr. + CD-ROM |